IT之家 11 月 1 日音信，字据 DigiTimes 报谈，Samsung Foundry 副总裁 Jeong Gi-Tae 自大比特派官，三星行将推出 SF1.4（1.4 nm）工艺中，纳米片（nanosheets）的数目从 3 个加多到 4 个，有望确认改善性能和功耗。

三星正在寻求扩大其在 Gate-All-Around (GAA) 平台方面的跨越地位，在推出基于 GAA 的 SF3E 之后，谋略 2027 年上线 SF1.4（1.4nm）工艺，通过加多纳米片数目进一步改善工艺。

每个晶体管加多纳米片数目，不错增强驱动电流，从而晋升性能，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关才智和运转速率。

此外，更多的纳米片不错更好地适度电流比特派官，这有助于减少走电流，从而缩小功耗。此外，纠正的电流适度还意味着晶体管产生的热量更少，从而晋升了功率效果。

IT之家此前报谈，三星还谋略在 1.4nm 工艺中禁受背部供电（BSPDN）时刻，旨在更好地挖掘晶圆后头空间的后劲，但于今仍未在人人限制内握行。

固然当今半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为时刻节点进行系统定名，但毫无疑问当今的工艺时刻亦然数字越小越先进。

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跟着半导体工艺微缩道路收敛地上前发展，集成电路内电路与电路间的距离也收敛缩窄，从而对互相产生打扰，而 BSPDN 时刻则不错克服这一铁心，这是因为咱们不错欺诈晶圆后头来构建供电道路，以分隔电路和电源空间。

《三星谋略 2027 年让 1.4nm 工艺用上 BSPDN 背部供电时刻》

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