IT之家 11 月 1 日音讯，凭据 DigiTimes 报谈，Samsung Foundry 副总裁 Jeong Gi-Tae 夸耀bitpie苹果手机版，三星行将推出 SF1.4（1.4 nm）工艺中，纳米片（nanosheets）的数目从 3 个增多到 4 个，有望明显改善性能和功耗。

三星正在寻求扩大其在 Gate-All-Around (GAA) 平台方面的卓著地位，在推出基于 GAA 的 SF3E 之后，筹备 2027 年上线 SF1.4（1.4nm）工艺，通过增多纳米片数目进一步改善工艺。

每个晶体管增多纳米片数目bitpie苹果手机版，不错增强驱动电流，从而进步性能，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关才和洽脱手速率。

此外，更多的纳米片不错更好地限度电流，这有助于减少走电流，从而镌汰功耗。此外，改良的电流限度还意味着晶体管产生的热量更少，从而进步了功率恶果。

IT之家此前报谈，三星还筹备在 1.4nm 工艺中选拔背部供电（BSPDN）时代，旨在更好地挖掘晶圆后面空间的后劲bitpie苹果手机版，但于今仍未在各人领域内实验。

和值走势：上期和值62，属60段和值，近10期和值，70段出现3次；100、80、60段出现2次；120段出现1次，本期预计和值出现在80段（80-89）。

诚然现在半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为时代节点进行系统定名，但毫无疑问现在的工艺时代亦然数字越小越先进。

跟着半导体工艺微缩阶梯不断地上前发展，集成电路内电路与电路间的距离也不断缩窄，从而对彼此产生干涉，而 BSPDN 时代则不错克服这一摈弃，这是因为咱们不错垄断晶圆后面来构建供电阶梯，以分隔电路和电源空间。

《三星筹备 2027 年让 1.4nm 工艺用上 BSPDN 背部供电时代》

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